www.endustriweb.com
30
'26
Written on Modified on
QLC UFS 4.1 Yüksek Kapasiteli Mobil Depolamayı Genişletiyor
KIOXIA Europe, mobil ve bağlantılı sistemlerde kapasiteyi artırmak ve okuma/yazma performansını yükseltmek amacıyla QLC ve 8. nesil BiCS FLASH kullanan deneme sürümü gömülü bellek cihazlarını tanıttı.
europe.kioxia.com

Mobil ve uç cihazlar, yapay zekâ işlemleri, görüntüleme ve sürekli bağlantı nedeniyle daha büyük veri hacimleri üretirken, kompakt ve yüksek yoğunluklu depolamaya olan ihtiyaç artıyor. Bu bağlamda KIOXIA Europe, dört bit/hücreli (QLC) NAND ve şirketin 8. nesil BiCS FLASH™ 3D flash belleğini kullanan Universal Flash Storage (UFS) 4.1 gömülü belleklerinin deneme sürümünü tanıttı.
QLC NAND ile daha yüksek yoğunluk
QLC teknolojisi hücre başına dört bit depolayarak üç seviyeli hücre (TLC) NAND’a kıyasla daha yüksek bit yoğunluğu sunar. Bu, akıllı telefonlar, tabletler ve alan kısıtlı diğer elektronik cihazlarda aynı fiziksel alanda daha yüksek kapasite elde edilmesini sağlar. QLC’nin geleneksel olarak daha düşük yazma dayanımı ve performansla ilişkilendirilen sınırlamaları, denetleyici geliştirmeleri ve gelişmiş hata düzeltme teknikleriyle azaltılmıştır; bu da teknolojiyi okuma ağırlıklı iş yükleri için uygun hale getirir.
Yeni cihazlar 512 GB ve 1 TB kapasitelerde sunulmakta olup, JEDEC standart paket içinde flash bellek ve denetleyiciyi entegre eder.
Önceki nesle göre performans artışı
KIOXIA, BiCS6 QLC NAND tabanlı önceki UFS 4.0 cihazlarına kıyasla ölçülebilir performans artışları bildirmektedir. Sıralı yazma hızı %25, rastgele okuma performansı %90 ve rastgele yazma performansı %95 oranında artmıştır. Bu kazanımlar hem NAND mimarisindeki güncellemeler hem de denetleyici düzeyindeki optimizasyonlarla ilişkilidir.
Write Amplification Factor (WAF) da iyileştirilmiş olup, WriteBooster devre dışıyken Write Boost Factor’da en fazla 3,5 kat artış sağlanmıştır. Daha düşük yazma çoğaltma oranı, yazma sınırlı senaryolarda flash hücrelerinin daha verimli kullanılmasına ve daha uzun kullanım ömrüne katkıda bulunabilir.
UFS 4.1 arayüzü ve sistem uyumluluğu
Cihazlar UFS 4.1 spesifikasyonuyla uyumludur ve UFS 4.0 ile UFS 3.1 ana sistemleriyle geriye dönük uyumluluk sunar. UFS 4.1 daha yüksek bant genişliği ve gelişmiş güç verimliliği sağlar; bu özellikler, cihaz üzerinde yapay zekâ çıkarımı, yüksek çözünürlüklü video kaydı ve AR/VR işleme gibi veri yoğun uygulamalar çalıştıran pille çalışan cihazlar için önemlidir.
KIOXIA ayrıca paket boyutunu önceki QLC UFS neslindeki 11 × 13 mm’den 9 × 13 mm’ye düşürmüştür. Bu, tasarımcıların sensörler, RF modülleri veya daha büyük piller gibi ek bileşenler için kart üzerinde alan kazanmasına yardımcı olur.
BiCS FLASH mimarisi ve CBA teknolojisi
Bellek, KIOXIA’nın CMOS directly Bonded to Array (CBA) mimarisini kullanan 8. nesil BiCS FLASH™ 3D flash teknolojisine dayanmaktadır. Bu yapıda CMOS devreleri ayrı olarak üretilir ve ardından bellek hücre dizisinin bulunduğu wafer’a bağlanır. Bu yaklaşım, ara bağlantı yoğunluğunu ve sinyal verimliliğini artırabilirken 3D NAND tasarımlarında katman sayısının daha da ölçeklenmesini destekler.
Akıllı telefonların ötesinde kullanım alanları
Akıllı telefonlar ve tabletler başlıca hedefler olsa da, daha yüksek kapasiteli UFS cihazları PC’ler, ağ ekipmanları, IoT ağ geçitleri ve yapay zekâ destekli uç cihazlar için de uygundur. Bu sistemler genellikle günlükler, modeller ve tamponlanmış sensör veya video verileri için hızlı yerel depolama gerektirir, ancak mobil platformlara benzer güç ve alan kısıtlamaları altında çalışır.
QLC yoğunluğunu UFS 4.1 bant genişliği ve güncellenmiş denetleyici tasarımıyla birleştiren yeni cihazlar, ağ kenarındaki dijital altyapıda okuma ağırlıklı gömülü iş yüklerine yönelik olarak konumlandırılmıştır.
www.kioxia.com

